脈沖寬度調(diào)制技術(shù)通常用來(lái)實(shí)現(xiàn)變頻變壓，通俗一點(diǎn)來(lái)說(shuō)，脈沖寬度調(diào)制就是一種模擬控制方式，可以根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或者M(jìn)OS管柵極的偏置，實(shí)現(xiàn)晶體管或者M(jìn)OS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。今天這篇文章就為大家講講脈沖寬度調(diào)制的基本原理是什么。

場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)管，屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。而在某些情況下又分為增強(qiáng)型mos管和耗盡型mos管，那么增強(qiáng)型mos管和耗盡型mos管的區(qū)別有哪些?本文將為您解答。