定制合封芯片
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YF55D54K 是以 EPROM 作為存儲(chǔ)器的 8 位單片機(jī)，并內(nèi)置鋰電池充電功能，專為鋰電池供電和多 I/O 要求應(yīng)用設(shè)計(jì)。采用 CMOS 制程并同時(shí)提供 客戶低成本、高性能、及高性價(jià)比等顯著優(yōu)勢。YF55D54K 核心建立在 RISC 精簡指令集架構(gòu)可以很容易地做編程和控制，共有 55 條指令。除了少數(shù)指令需要 2 個(gè)指令時(shí)鐘，大多數(shù)指令都是 1 個(gè)指令時(shí)鐘能完成，可以讓用戶輕松地以 過程控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。
在 I/O 的資源方面，YF55D54K 有 4 根彈性的雙向 I/O 腳，每個(gè) I/O 腳都有單獨(dú)的寄存器控制為輸入或輸出腳。而且每一個(gè) I/O 腳位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉電阻或開漏（Open-Drain）輸出。
YF55D54K 有 1 組計(jì)時(shí)器，可用系統(tǒng)時(shí)鐘當(dāng)作一般的計(jì)時(shí)應(yīng)用或者從外部訊號(hào)觸發(fā)來計(jì)數(shù)。
YF55D54K 采用雙時(shí)鐘機(jī)制，高速振蕩時(shí)鐘或者低速振蕩時(shí)鐘都由內(nèi)部 RC 振蕩輸入。在雙時(shí)鐘機(jī)制下， YF55D54K 可選擇多種工作模式如正常模式（Normal）、慢速模式（Slow mode）、待機(jī)模式（Standby mode）與睡 眠模式（Halt mode ），可節(jié)省電力消耗，延長電池壽命。
在省電的模式下，如待機(jī)模式（Standby mode）與睡眠模式（Halt mode）中，有多個(gè)中斷源可以觸發(fā)來喚醒 YF55D54K 進(jìn)入正常操作模式（Normal mode）或慢速模式（Slow mode）來處理突發(fā)事件。
寬廣的工作電壓：
2.0V ~ 5.5V @系統(tǒng)時(shí)鐘 ≦8MHz
2.2V ~ 5.5V @系統(tǒng)時(shí)鐘 >8MHz
l 寬廣的工作溫度：-40°C ~ 85°
l 512x14 bits EPROM，32 bytes SRAM。
l 4 根可分別單獨(dú)控制輸入輸出方向的 I/O 腳（GPIO）、PB[5:0]。，
l PB[3:0]可選擇輸入時(shí)使用內(nèi)建下拉電阻。
l PB[5:0]可選擇上拉電阻。
l PB[5:4]及 PB[2:0]可選擇開漏極輸出(Open-Drain)
l PB[3]可選擇當(dāng)作輸入或開漏極輸出(Open-Drain)
l 4 層程式堆棧 (Stack)。
l 存取資料有直接或間接定址模式。
l 一組 8 位元上數(shù)計(jì)時(shí)器(Timer0)包含可程式化的頻率預(yù)除線路
l 內(nèi)建上電復(fù)位電路(POR)，內(nèi)建低壓復(fù)位功能(LVR)
l 內(nèi)建看門狗計(jì)時(shí)(WDT)，可由程式韌體控制開關(guān)。
l 雙時(shí)鐘機(jī)制，系統(tǒng)可以隨時(shí)切換高速振盪或者低速振盪。
?高速振盪: I_HRC (1~20MHz 內(nèi)部高速 RC 振盪)
?低速振盪: I_LRC (內(nèi)部 32KHz 低速 RC 振盪)
l 四種工作模式可隨系統(tǒng)需求調(diào)整電流消耗：正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機(jī)模式
(Standby mode) 與 睡眠模式(Halt mode)。
l 三種硬體中斷：
?Timer0 溢位中斷。
?PB 輸入狀態(tài)改變中斷。
?外部中斷輸入。
l YF55D54K 在待機(jī)模式(Standby mode)下的三種喚醒中斷：
?Timer0 溢位中斷。
?PB 輸入狀態(tài)改變中斷。
?外部中斷輸入。
l YF55D54K 在睡眠模式(Halt mode)下的二種喚醒中斷：
?PB 輸入狀態(tài)改變中斷。
?外部中斷輸入。
YF55D54K提供一種封裝類型：SOP8
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